9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH250N075T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH250N075T参考价格为1.066美元。IXYS IXTH250N075T封装/规格：MOSFET N-CH 75V 250A TO247。您可以下载IXTH250N075T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH24P20是MOSFET-24安培-200V 0.15 Rds，包括IXTH24P22系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-24 a，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为150 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为68 ns，典型接通延迟时间为36 ns，Qg栅极电荷为150 nC，正向跨导最小值为10 S，沟道模式为增强。
IXTH24N50L是MOSFET 24安培500V 0.30欧姆Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，具有0.229281盎司等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为35 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTH24N50系列，上升时间为85ns，Rds漏极-源极电阻为300mOhm，Qg栅极电荷为160nC，Pd功耗为400W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为24 A，正向跨导最小值为3 S，下降时间为75 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH24N50Q是MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于11 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如24 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极-源极电阻Rds为240 mOhms，上升时间为20 ns，系列为IXTH24N50，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为16ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXTH24N50是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 24A TO-247。IXTH24N50在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 24A TO-247、N沟道500V 24A（Tc）300W（Tc）通孔TO-247（IXTH）、Trans MOSFET N-CH-Si 500V 24A 3-Pin（3+Tab）TO-247AD。
