9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH280N055T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH280N055T参考价格为1.726美元。IXYS IXTH280N055T封装/规格：MOSFET N-CH 55V 280A TO247。您可以下载IXTH280N055T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH26N60P是MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds，包括IXTH26N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281 oz的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为460 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为72nC，正向跨导Min为16S，并且信道模式是增强。
IXTH26P20P是MOSFET P-CH 200V 26A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在0.229281盎司中使用的数据表注释中，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为46 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH26P20系列，器件的上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为170 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为26 A，下降时间为21 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTH260N055T2是MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A，包括260 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计工作在3.3 mOhms，以及IXTH260NO55系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.229281盎司，该器件具有55 V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTH270N04T4具有EDA/CAD模型，包括管包装，它们设计为使用TrenchT4商品名操作，数据表注释中显示了用于Si的技术。
