9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH88N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH88N15参考价格为1.022美元。IXYS IXTH88N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 88A TO247。您可以下载IXTH88N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH76P10T是MOSFET-76安培-100V 0.024 Rds，包括IXTH76P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商标设计用于TrenchP，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为298 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为-76 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为-4V，Rds漏极-源极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为197nC，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
IXTH80N20L是MOSFET标准线性功率MOSFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如29 ns，典型的关闭延迟时间设计为72 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXTH80N20，器件的上升时间为44 ns，器件的漏极-源极电阻为32 mOhms，Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为520 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为80A，正向跨导最小值为30S，下降时间为29ns，信道模式为增强。
IXTH80N075L2带有电路图，包括Si技术，它们设计为使用LinearL2商品名运行。
