9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP1N80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP1N80参考价格1.888美元。IXYS IXTP1N80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB。您可以下载IXTP1N80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP18P10T是MOSFET 18安培100V 0.12 Rds，包括IXTP18P11系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于TrenchP，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为-18 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为-4.5V，Rds漏极-源极电阻为120m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
IXTP1N100P是MOSFET 1安培1000V 14 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP1N100系列，器件的上升时间为26 ns，漏极电阻Rds为13欧姆，Pd功耗为50 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.2 A，下降时间为24 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP1N120P是MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了27 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如1A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为63 W，Rds漏极-源极电阻为20欧姆，上升时间为28 ns，系列为IXTP1N120，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为54ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTP1N100是由IXYS制造的MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB。IXTP1N100采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB、N沟道1000V 1.5V（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH-Si 1KV 1.5A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
