9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP220N075T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP220N075T参考价格为3.622美元。IXYS IXTP220N075T封装/规格：MOSFET N-CH 75V 220A TO220AB。您可以下载IXTP220N075T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP20N65X是MOSFET 650V/9A功率MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.012346盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为320 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为35nC，正向跨导Min为9S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXTP20N65XM，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供0.012346 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为18 ns，以及46 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为30 ns，器件的漏极-源极电阻为210 mOhms，Qg栅极电荷为35 nC，Pd功耗为63 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，正向跨导最小值为9 S，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTP220N04T2是MOSFET N-CH 40V 220A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了21 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如220 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极-源极电阻Rds为3.5 mOhms，上升时间为21 ns，系列为IXTP220N04，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTP220N055T2，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTP220N055T2采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
