9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP240N055T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP240N055T参考价格为6.942美元。IXYS IXTP240N055T封装/规格：MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB。您可以下载IXTP240N055T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTP240N055T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTP230N075T2是MOSFET N-CH 75V 230A TO-220，包括IXTP230NO75系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有480 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为230 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为178nC，正向跨导最小值为50S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXTP20N65XM，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供0.012346 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为18 ns，以及46 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为30 ns，器件的漏极-源极电阻为210 mOhms，Qg栅极电荷为35 nC，Pd功耗为63 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，正向跨导最小值为9 S，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTP220N04T2是MOSFET N-CH 40V 220A TO-220，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了21 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如220 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为360 W，漏极-源极电阻Rds为3.5 mOhms，上升时间为21 ns，系列为IXTP220N04，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTP220N055T2，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTP220N055T2采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
