9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE816DF-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE816DF-T1-GE3参考价格$2.888。Vishay Siliconix SIE816DF-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE816DF-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIE810DF-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK，包括卷筒封装，它们设计为与SIE810DF-E3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如POLARPAK-10，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns 10 ns，上升时间为95 ns 70 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为45 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns 100ns，典型接通延迟时间为40ns 20ns，沟道模式为增强。
SIE816DF-T1-E3是MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了典型的开启延迟时间，用于22 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为10 ns，器件的漏极-源极电阻为7.4 mOhms Rds，器件具有5.2 W的Pd功耗，部件别名为SIE816DF-E3，封装为卷筒，封装外壳为PolarPAK-10，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19.8 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SIE812DF，带有vishay制造的电路图。SIE812DF采用SMD封装，是FET的一部分-单个。
