9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP2N80P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP2N80P参考价格为0.416美元。IXYS IXTP2N80P封装/规格：MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB。您可以下载IXTP2N80P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP2N60P是MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds，包括IXTP2N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为55W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23ns，上升时间为20ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为7nC，正向跨导最小值为1.4S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的IXTP2N65X2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.012346 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为15 ns，以及20 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为19 ns，器件的漏极-源极电阻为2.3欧姆，Qg栅极电荷为4.3 nC，Pd功耗为55 W，封装外壳为TO-220-3，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为2A，且正向跨导Min为1.1S，且下降时间为14ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
IXTP2N80是MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供Id连续漏极电流功能，如2A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为54 W，Rds漏极-源极电阻为6.2欧姆，上升时间为18 ns，系列为IXTP2N80，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
