9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE848DF-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE848DF-T1-E3参考价格为1.074美元。Vishay Siliconix SIE848DF-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE848DF-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIE830DF-T1-E3是MOSFET 30V 50A 104W，包括卷轴封装，它们设计为与SIE830DF-E3零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PolarPAK-10，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为95 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为4.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
SIE844DF-T1-E3是MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为10 ns，器件提供7 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有5.2 W的Pd功耗，零件别名为SIE844DF-E3，封装为卷轴，封装盒为PolarPAK-10，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20.3A，下降时间为10ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SIE830DF-T1-GE3是MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm@110V，包括单一配置，它们设计为在27 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可以用作PolarPAK-10包装盒。此外，包装为卷筒，该器件以SIE830DF-GE3零件别名提供，该器件具有5.2W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为4.2mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为12V。
