9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP70N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP70N085T参考价格为0.698美元。IXYS IXTP70N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB。您可以下载IXTP70N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP6N50P是MOSFET 6安培500V 1.1欧姆Rds，包括IXTP6N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有100 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为26ns，正向跨导最小值为5.5S，沟道模式为增强。
IXTP6N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 6A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP6N100系列，器件的上升时间为80ns，漏极-源极电阻Rds为2.2欧姆，Qg栅极电荷为95nC，Pd功耗为300W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，正向跨导最小值为2.6 S，下降时间为47 ns。
IXTP6N50D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）500V 6A，包括43 ns的下降时间，它们设计为以2.8 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作，如数据表注释所示，用于6 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装方式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有300W的Pd功耗，Qg栅极电荷为96nC，Rds漏极-源极电阻为550mOhm，上升时间为72ns，系列为IXTP6N50，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTP70N075T2是MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTP70NO75系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供75V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有70A的Id连续漏极电流，典型关断延迟时间为31ns，上升时间为28ns，下降时间为22ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Pd功耗为150W，典型接通延迟时间为15ns，漏极-源极电阻Rds为12毫欧，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.081130盎司，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃。
