9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP7N60PM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP7N60PM参考价格为11.046美元。IXYS IXTP7N60PM封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB。您可以下载IXTP7N60PM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP7N60P是MOSFET 1.1欧姆Rds，包括IXTP7N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为20nC，正向跨导最小值为4s，并且信道模式是增强。
IXTP76P10T是MOSFET-76安培-100V 0.024 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-100 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为52 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP76P10系列，器件的上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为24 mOhms，Pd功耗为298 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为76 A，下降时间为20 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP76N25T是MOSFET 76安培250V 39 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了29纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如76 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为460 W，漏极-源极电阻Rds为39 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXTP76N25，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为22ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为30V。
