9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXT-1-1N100S1-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXT-1-1N100S1-TR参考价格为2.128美元。IXYS IXT-1-1N100S1-TR封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC。您可以下载IXT-1-1N100S1-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXSX50N60BU1是IGBT 600V 75A 300W PLUS247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-24 7AD（IXSK），以及300W最大功率，该设备也可以用作50ns反向恢复时间trr。此外，集流器Ic最大值为75A，该器件提供600V集流器发射极击穿最大值，该器件具有200A集流器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，50A，开关能量为3.3mJ（关），栅极电荷为167nC，25°C下的Td为70ns/150ns，测试条件为480V，50A，2.7欧姆，15V。
IXSX80N60B是IGBT 600V 160A 500W PLUS247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.5V@15V、80A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于480V、80V、2.7 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如60ns/140ns，开关能量设计为4.2mJ（关）工作，除了TO-247AD（IXSK）供应商器件封装外，该器件还可以用作500W最大功率。此外，封装为管，器件采用TO-247-3封装盒，器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为240nC，集电器脉冲Icm为300A，集电器Ic最大值为160A。
IXT-1-1N100S1是由IXY制造的MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC。IXT-1-1N100S1采用8-SOIC封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC、N沟道1000V 1.5V（Tc）、高压功率MOSFET。
