9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ150N06P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ150N06P参考价格$4.574。IXYS IXTQ150N06P封装/规格：MOSFET N-CH 60V 150A TO3P。您可以下载IXTQ150N06P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ140N10P是MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P，包括IXTQ140N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为155nC，正向跨导Min为45S，并且信道模式是增强。
IXTQ14N60P是MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P，包括5.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.194007 oz，典型开启延迟时间设计为23 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTQ14N60，上升时间为27ns，漏极-源极电阻Rds为450mOhm，Qg栅极电荷为36nC，Pd功耗为300W，封装为Tube，封装盒为TO-3P-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为14 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ130N15T，电路图由IXYS制造。IXTQ130N15T采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分，N沟道150V 130A（Tc）750W（Tc）通孔TO-3P，Trans-MOSFET N-CH 150V 130B 3引脚（3+Tab）TO-3P。
