9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ152N085T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ152N085T参考价格为2.084美元。IXYS IXTQ152N085T封装/规格：MOSFET N-CH 85V 152A TO3P。您可以下载IXTQ152N085T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ150N15P是MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P，包括IXTQ150N1 5系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为714W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为150A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为190nC，正向跨导最小值为55S，并且信道模式是增强。
IXTQ140N10P是MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.194007盎司，典型的开启延迟时间设计为35 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTQ140N10，上升时间为50 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhm，Qg栅极电荷为155 nC，Pd功耗为600 W，封装为Tube，封装盒为TO-3P-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为140 A，正向跨导最小值为45 S，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ14N60P是MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于26 ns，提供正向跨导最小特性，如7S，Id连续漏极电流设计为工作在14A，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-3P-3封装盒，封装为管，Pd功耗为300 W，Qg栅极电荷为36 nC，Rds漏极-源极电阻为450 mOhms，上升时间为27 ns，系列为IXTQ14N60，技术为Si，商品名为PolarHV，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为23ns，单位重量为0.194007oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为5.5V。
IXTQ150N06P是由IXYS制造的MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P。IXTQ150N06P以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P、N沟道60V 150V（Tc）480W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH60V 150A-3-Pin（3+Tab）TO-3P。
