9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ200N06P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ200N06P参考价格$18.988。IXYS IXTQ200N06P封装/规格：MOSFET N-CH 60V 200A TO3P。您可以下载IXTQ200N06P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ18N60P是MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P，包括IXTQ18N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供了通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有360 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为22纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为420mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为21ns，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
IXTQ180N10T是MOSFET 180安培100V 6.1 Rds，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.194007盎司单位重量下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如42 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为IXTQ180N10，器件的上升时间为54纳秒，器件的漏极-源极电阻为6.4 mOhms，Pd功耗为480 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为180 A，下降时间为31 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ200N04T，带有IXYS制造的电路图。IXTQ200N04T在TO247封装中提供，是IC芯片的一部分。
