9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ40N50Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ40N50Q参考价格为1.196美元。IXYS IXTQ40N50Q封装/规格：MOSFET N-CH 500V 40A TO3P。您可以下载IXTQ40N50Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTQ36N50P是MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P，包括IXTQ36N60系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为540 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为36A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为85nC，正向跨导最小值为23S，并且信道模式是增强。
IXTQ40N50L2是MOSFET 40 Amps 500V，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为50 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以线性L2商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXTQ40N50，上升时间为133 ns，漏极-源极电阻Rds为170 mOhm，Qg栅极电荷为320 nC，Pd功耗为540 W，封装为管，封装盒为TO-3P-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为11 S，下降时间为44 ns，信道模式为增强型。
IXTQ36P15P是MOSFET-36.0 Amps-150V 0.110 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于15 ns，提供Id连续漏极电流功能，如36 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为300 W，Rds漏极-源极电阻为110 mOhms，上升时间为31 ns，系列为IXTQ36P15，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.194007oz，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTQ36N30P是MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds，包括管封装，它们设计为与to-3P-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTQ36N40系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供97纳秒的典型关断延迟时间，该器件具有36安培的Id连续漏电流，Pd功耗为300瓦，Vds漏极-源极击穿电压为300伏，Vgs栅极-源极电压为30伏，上升时间为30纳秒，下降时间为28纳秒，典型接通延迟时间为24纳秒，漏极-源极电阻Rds为110毫欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.194007盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
