9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT16P20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT16P20参考价格为6.73美元。IXYS IXTT16P20封装/规格：MOSFET P-CH 200V 16A TO268。您可以下载IXTT16P20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT16N20D2是MOSFET N-CH 200V 16A TO-268，包括IXTT16N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-268-3、D3Pak（2引线+接线片）、TO-268AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-268，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为695W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为5500pF@25V，FET特性为耗尽模式，电流连续漏极Id 25°C为16A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为73 mOhm@8A，0V，栅极电荷Qg Vgs为208nC@5V，Pd功耗为695 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为135 ns，上升时间为130 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为73mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为270ns，典型接通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为208nC，沟道模式为耗尽。
IXTT16N50D2是MOSFET D2耗尽模式功率MOSFET，包括-2V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们被设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为50 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTT16N50系列，上升时间为173ns，Rds漏极-源极电阻为300mOhm，Qg栅极电荷为199nC，Pd功耗为695W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为16 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为220 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽。
IXTT16N10D2是MOSFET D2耗尽模式功率MOSFET，包括耗尽沟道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于70纳秒的下降时间，提供了正向跨导最小特性，如7 S，Id连续漏电流设计为在16 a下工作，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1信道数信道，器件具有TO-268-2封装盒，封装为管，Pd功耗为830 W，Qg栅极电荷为225 nC，Rds漏极-源极电阻为64 mOhms，上升时间为43 ns，系列为IXTT16N10，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为340ns，典型接通延迟时间为45ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
