9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT36P10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT36P10价格参考19.876美元。IXYS IXTT36P10封装/规格：MOSFET P-CH 100V 36A TO268。您可以下载IXTT36P10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT30N60P是MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds，包括IXTT30N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV，以及to-268-2封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为540 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为82nC，正向跨导Min为22S，并且信道模式是增强。
IXTT36N50P是MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于500 V，提供单位重量功能，如0.158733 oz，典型的开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTT36N50，上升时间为27ns，漏极-源极电阻Rds为170mOhm，Qg栅极电荷为85nC，Pd功耗为540W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为36 A，正向跨导最小值为23 S，下降时间为21 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTT360N055T2是MOSFET 360Amps 55V，包括360 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-268-2，提供管、漏极电阻等封装特性，设计工作电阻为2.4 mOhms，以及IXTT360NO55系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.229281盎司，该器件具有55 V的Vds漏极-源极击穿电压。
