9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4826NET1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4826NET1G参考价格为2.076美元。onsemi NTMFS4826NET1G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN。您可以下载NTMFS4826NET1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NTMFS4826NET1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NTMFS4821NT1G是MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL，包括NTMFS482N系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供38.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为58.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.6ns，典型接通延迟时间为13.3ns，Qg栅极电荷为25nC，正向跨导最小值为54S，沟道模式为增强。
NTMFS4823NT1G是MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000744盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为12.7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTMFS4823N系列，该器件的上升时间为29 ns，漏极电阻Rds为15.6 mOhms，Pd功耗为5.43 W，封装为卷轴式，封装外壳为DFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为30 A，正向跨导最小值为26 S，下降时间为3.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
NTMFS4744NT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL。NTMFS4742NT1G采用8-PowerTDFN、5引线封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH30V 7A SO-8FL、N沟道30V 7A（Ta）880mW（Ta）、47.2W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）。
NTMFS4825NFET1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL。NTMFS4822NFET1G1可提供8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 171A-SO-8FL、N沟道30V 17A（Ta）、171A（Tc）950mW（Ta），96.2W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）。
