9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTGS1135PT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTGS1135PT1G参考价格为0.27000美元。onsemi NTGS1135PT1G封装/规格：MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP。您可以下载NTGS1135PT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTGD4167CT1G是MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP，包括NTGD4167 C系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商器件包的6-TSOP，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为900mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为295pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.6A、1.9A，最大Id Vgs为90mOhm@2.6A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.5nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为4 ns 8 ns，上升时间为4 ns8 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为90 mOhms 170 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为14ns 22ns，典型接通延迟时间为7ns 8ns，信道模式为增强。
NTGD4161PT1G是MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于160 mOhm@2.1A，10V，提供功率最大特性，如600mW，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供281pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有7.1nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1.5A。
NTGD4167C是ON公司生产的原装产品。NTGD4167 C采用SOT23-6封装，是FET阵列的一部分，支持原装产品。
