特色
- 低Rds（开）
- 最小化传导损耗
- 低电容
- 最小化驱动程序损失
- 优化门电荷
- 最小化开关损耗
应用
- CPU电源输送
- DC-DC转换器
- 高压侧开关
- 参考应用注释AND8195/D
- 笔记本电脑计算
- 桌面计算
- 服务器和工作站
（图片：引出线）
NTMFS4823NT3G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 860mW (Ta), 32.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥16.96287
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.96
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 11.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A (Ta), 30A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 10.6毫欧姆@30A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.5伏时为13 nC
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 795 pF @ 15 V
- 最大功耗 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
NTMFS4823NT3G 产品详情
功率MOSFET，30V，30A，单N沟道，SO8FL
NTMFS4823NT3G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
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 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFS4823NT3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4823NT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4823NT3G价格参考￥16.962872，你可以下载 NTMFS4823NT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4823NT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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