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HUFA75639S3ST是MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm，包括卷轴封装，它们设计用于0.046296 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供200 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为56 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
HUFA75639S3ST_F085A，带有用户指南，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.046296 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及25 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作200W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为56 a。
HUFA75639S3S是FSC制造的MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK。HUFA75639S3S采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK，N沟道100V 56B（Tc）200W（Tc，表面安装D？PAK（TO-263AB），Trans-MOSFET N-CH Si 100V 56A汽车3引脚（2+Tab）TO-263AB。
