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FDME410NZT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥7.24290
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.24
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大功耗 2.1W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 MicroFet 1.6x1.6 Thin
  • 包装/外壳 6-PowerUFDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1025 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@7A,4.5V

FDME410NZT 产品详情

一般说明

该单N沟道MOSFET采用Fairchild半导体的先进功率沟槽工艺设计,以优化特殊MicroFET引线框架上的ros(oN)@VGS=1.5V。

特征

■Ves=4.5V,lD=7A时的最大ros(on)-26 m2

■Ves=2.5V,ID=6A时,最大ros(on)=31 mQ

■Ves=1.8V,lD=5A时,最大ros(on)=39 m2

■最大ros(on)=53 m2,Ves=1.5V,ID=4A

■薄型:新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6×1.6薄型

■不含卤化化合物和氧化锑

■HBM ESD保护等级>1800V(注3)

■符合RoHS



(图片:引线/示意图)

FDME410NZT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDME410NZT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDME410NZT价格参考¥7.242900,你可以下载 FDME410NZT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDME410NZT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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