该单N沟道MOSFET采用Fairchild半导体的先进功率沟槽工艺设计,以优化特殊MicroFET引线框架上的ros(oN)@VGS=1.5V。
特征
■Ves=4.5V,lD=7A时的最大ros(on)-26 m2
■Ves=2.5V,ID=6A时,最大ros(on)=31 mQ
■Ves=1.8V,lD=5A时,最大ros(on)=39 m2
■最大ros(on)=53 m2,Ves=1.5V,ID=4A
■薄型:新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6×1.6薄型
■不含卤化化合物和氧化锑
■HBM ESD保护等级>1800V(注3)
■符合RoHS
(图片:引线/示意图)