9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTGS3447PT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTGS3447PT1G参考价格为0.17000美元。onsemi NTGS3447PT1G封装/规格：MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP。您可以下载NTGS3447PT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTGS3446T1G是MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP，包括NTGS3446系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1信道数信道，器件具有供应商器件封装的6-TSOP，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为750pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为45 mOhm@5.1A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为36毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35纳秒，典型的接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为12S，信道模式为增强。
NTGS3443T1G是MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的6-TSOP，系列为NTGS3443，上升时间为18ns，Rds On Max Id Vgs为65mOhm@4.4A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为65m欧姆，功率最大值为500mW，Pd功耗为2W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为565pF@5V，Id连续漏极电流为-2A，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，正向跨导最小值为6.8S，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为31ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.2A（Ta），配置为单四漏极，信道模式为增强。
NTGS3446T1是ON公司制造的MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP。NTGS3446 T1采用SC-74 SOT-457封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH20V 2.5A 6-TSOP，N沟道20V 2.5A（Ta）500mW（Ta）表面安装6-TSOP。
