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NTLJF3117PT1G是MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN，包括NTLJF3217P系列，它们设计为采用卷筒式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供WDFN-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.2 ns 15 ns，上升时间为13.2纳秒15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-3.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.7ns 19.8ns，典型接通延迟时间为5.2ns 5.5ns，正向跨导最小值为3.1S，沟道模式为增强型。
NTLJD4116NT1G是MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-WDFN（2x2）供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于70 mOhm@2A，4.5V，提供功率最大特性，如710mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-WDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供427pF@15V输入电容Cis Vds，该器件具有6.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A。
NTLJD4150PTBG是MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN，包括1.8A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于4.5nC@4.5V，除了300pF@15V输入电容Cis Vds之外，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用6-WDFN暴露焊盘封装盒，该设备具有封装带和卷轴（TR），最大功率为700mW，最大Id Vgs的Rds为135mOhm@4A，10V，供应商设备包为6-WDFN（2x2），Vgs th Max Id为2V@250μA。
NTLJF3117PRT1G，带有ON制造的EDA/CAD模型。NTLJF3217PRT1GWDFN6封装，是IC芯片的一部分。
