9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLJS4149PTAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLJS4149PTAG参考价格为0.3万美元。onsemi NTLJS4149PTAG封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN。您可以下载NTLJS4149PTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLJS4114NT1G是MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN，包括NTLJS4214N系列，它们设计为使用卷轴封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如WDFN-6，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为20.3毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为5ns，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
带有用户指南的NTLJS3A18PTXG，包括-20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与P沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该技术提供了NTLJS4A18PZ等系列功能，Rds漏极源电阻设计为在18 mOhms下工作，以及卷筒包装，该装置也可用作WDFN-6包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供-8.2 A Id连续漏电流。
带有电路图的NTLJS3A18PZTWG，包括卷筒包装，设计用于NTLJS4A18PZ系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
具有EDA/CAD模型的NTLJS4114NTAG，包括Si技术。
