9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4837NHT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4837NHT3G参考价格$18.648。onsemi NTMFS4837NHT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN。您可以下载NTMFS4837NHT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4835NT1G是MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL，其中包括NTMFS483N系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供62.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns 13 ns，上升时间为23 ns 31 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns 22ns，典型接通延迟时间为10ns 16ns，正向跨导最小值为21S，沟道模式为增强。
NTMFS4837NHT1G是MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于15.2 ns 9 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如18.3 ns 28 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为NTMFS4837NH，器件的上升时间为27.5 ns 19.6 ns，器件的漏极电阻为5 mOhms，Pd功耗为5.8 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8FL，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为26 A，下降时间为7.1 ns 4.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
NTMFS4836NT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL。NTMFS483NT1G采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 11A/SO-8FL、N沟道30V 11A（Ta）、90A（Tc）890mW（Ta），55.6W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans MOSFET N-CH20V 18A 5-Pin（4+Tab）SO-FL T/R。
NTMFS4836NT3G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL。NTMFS483NT3G采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 11A-SO-8FL。
