9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4839NHT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4839NHT3G参考价格为0.31000美元。onsemi NTMFS4839NHT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN。您可以下载NTMFS4839NHT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4837NHT1G是MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL，包括NTMFS483NH系列，它们设计为使用卷筒包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.1 ns 4.7 ns，上升时间为27.5 ns 19.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为26 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.3ns 28ns，典型接通延迟时间为15.2ns 9ns，沟道模式为增强。
NTMFS4839NHT1G是MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于13.4 ns 8.1 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如16 ns 23.2 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为22.5 ns 19.6 ns，器件的漏极电阻为5.5 mOhms Rds，器件具有5.7 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8FL，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为24 A，下降时间为5.3 ns 3.4 ns，配置为单一，通道模式为增强。
NTMFS4837NT1G是ON公司生产的MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL。NTMFS483NT1G采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH30V 10A SO-8FL、N沟道30V 10A（Ta）、74A（Tc）880mW（Ta），47.2W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans MOSFET N-CH20V 16A 5引脚（4+Tab）SO-FL T/R。
NTMFS4839NHT1G-带有ON制造的EDA/CAD模型。NTMFS48309NHT1G-可采用SO8-FL封装，是FET的一部分-单个。
