9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS0308CS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS0308CS参考价格为13.132美元。onsemi FDMS0308CS封装/规格：MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN。您可以下载FDMS0308CS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS0308AS是MOSFET N-CH 30V 24A PT8，包括卷轴封装，它们设计为在0.002402盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备还可以用作2.5 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为3.7 ns，上升时间为4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.7 V，Rds导通漏极-源极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为11ns 13ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为145S，沟道模式为增强。
FDMS0306AS是MOSFET N-CH 30V 26A PT8，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002402盎司，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在5 ns上升时间内提供，器件具有2 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为41 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为26 A，正向跨导最小值为168 S，下降时间为4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDMS0306S是由FAIRCHILD制造的集成电路。FDMS0306S采用QFN8封装，是IC芯片的一部分，支持集成电路。
