该N沟道MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺生产，该工艺专门为最小化导通电阻而定制。该设备非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载切换应用。
应用
1.DC-DC降压转换器的高压侧
2.笔记本电脑电池电源管理
3.笔记本中的负载开关
FDMC8884
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、15A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、18W（Tc） 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 995
- 库存: 187630
- 单价: ¥2.17287
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,162.01
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 8-MLP (3.3x3.3)
- 导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@9A、10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）、15A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 685 pF @ 15 V
- 最大功耗 2.3W（Ta）、18W（Tc）
FDMC8884 产品详情
FDMC8884 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
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 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC8884所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMC8884 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC8884价格参考￥2.172870，你可以下载 FDMC8884中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC8884规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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