9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP15N60CFDHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP15N60CFDHKSA1参考价格$4.414。Infineon Technologies SPP15N60CFDHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3。您可以下载SPP15N60CFDHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP15N60C3是MOSFET N-CH 650V 15A TO-220，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000681050 SPP15N50C3HKSA1 SPP15N80C3XK SPP15N70C3XKSA1的零件别名，该SPP15N40C3XKSA2提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为156 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SPP15N60C3XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 15A TO220-3，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该设备也可以用作SPP15N60系列。此外，Rds漏极源极电阻为280 mOhms，该器件以SP000681050 SPP15N60C3 SPP15N50C3XK零件别名提供，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为15 a。
SPP15N60CFD是INFINEON制造的MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220。SPP15N60CFD在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220。
SPP15N60CFD（15N60CFD），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPP15N60CFD（15N60CFD）在TO-220封装中提供，是IC芯片的一部分。
