9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM90P10-19-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM90P10-19-E3参考价格为0.438美元。Vishay Siliconix SUM90P10-19-E3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 90A TO263。您可以下载SUM90P10-19-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUM90N10-8M2P-E3是MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的TO-263（D2Pak），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为6290pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为90A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.2mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为150nC@10V，Pd功耗为3.75W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为17纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为90 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为8.2毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34纳秒，典型的开启延迟时间为23ns，信道模式为增强。
SUM90N08-6M2P-E3是MOSFET 75V 90A 272W 6.2mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SUM系列，该器件的上升时间为11 ns，漏极电阻Rds为6.2 mOhms，Pd功耗为272 W，封装为卷筒，封装外壳为TO-263-3，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为90 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SUM90N08-8M8P-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK。SUM90N08-8M8P-E3提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK、N沟道75V 90B（Tc）3.75W（Ta）、300W（Tc）表面安装TO-263（D2PAK）、Trans MOSFET N-CH75V 90A3-Pin（2+Tab）D2PAK。
SUM90N10-8M2P，带有VISH制造的EDA/CAD模型。SUM90N10-8M2P在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
