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HUF75545S3ST是MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计用于HUF75545 S3ST_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有270 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为125 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强型。
HUF75545S，带有FAIRCHILD制造的用户指南。HUF75545S采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
HUF75545S3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA。HUF75545S3可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AB、N沟道80V 75B（Tc）270W（Tc）通孔TO-262AC。
HUF75545S3S是FSC制造的MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK。HUF75545S3S可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK，N通道80V 75B（Tc）270W（Tc）表面安装D？PAK（TO-263AB），跨MOSFET N-CH 80V 75A 3引脚（2+Tab）D2PAK导轨。
