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HUFA76413DK8T_F085是MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO，包括汽车、AEC-Q101、UltraFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为620pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.1A，最大Id Vgs上的Rds为49 mOhm@5.1A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为5.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为49 mΩ，晶体管极性为N沟道。
HUFA76413P3是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB。HUFA76413P3以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB、N沟道60V 23B（Tc）60W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH60V 23A3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
HUFA76419D_F085，带有FAIRCHILD制造的电路图。HUFA76419D_F085采用TO-2523L（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
