UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS(开启)、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。
HUF76633P3-F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 145W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 1200
- 单价: ¥6.73590
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,189.17
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 67 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 39A (Tc)
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 145W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 39A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1820 pF@25 V
HUF76633P3-F085 产品详情
UltraFET®MOSFET,Fairchild半导体
HUF76633P3-F085所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HUF76633P3-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HUF76633P3-F085价格参考¥6.735897,你可以下载 HUF76633P3-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HUF76633P3-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...