9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUF76619D3S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUF76619D3S价格参考9.586美元。onsemi HUF76619D3S封装/规格：MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA。您可以下载HUF76619D3S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HUF76609D3ST是MOSFET N-CH 100V 10A DPAK，包括卷轴封装，它们设计用于HUF76609 D3ST_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有49 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为41 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为16nC，沟道模式为增强。
HUF76619D，带有FSC制造的用户指南。HUF76619D提供TO-251封装，是FET的一部分-单个。
HUF76619D3，带有FAI制造的电路图。HUF76619D3在TO251封装中提供，是FET的一部分-单个。
