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HUF75321P3是MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB,包括管封装,它们设计为与HUF75321P3_NL零件别名一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装外壳设计为在TO-220-3中工作,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有93 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为66 ns,上升时间为55 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为35 a,Vds漏极-源极击穿电压为55V,Rds漏极源极导通电阻为34mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为47ns,典型接通延迟时间为11ns,沟道模式为增强型。
HUF75321P是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB。HUF75321P采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB。
HUF75321S3是INTERSIL制造的MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK。HUF75321S3采用TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK。