9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDME430NT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDME430NT参考价格为2.212美元。onsemi FDME430NT封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6。您可以下载FDME430NT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDME1034CZT是MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000889盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的6 MicroFET（1.6x1.6），配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为600mW，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为300pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.8A、2.6A，最大Id Vgs为66mOhm@3.4A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.2nC@4.5V，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为1.7 ns 16 ns，上升时间为2 ns 4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为3.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.7 V-0.6 V，Rds漏极源极电阻为66 mOhms 142 mOhms，并且晶体管极性是N沟道P沟道，并且典型关断延迟时间是15ns 33ns，并且典型接通延迟时间是4.5ns 4.7ns，并且Qg栅极电荷是3nC 5.5nC，并且正向跨导Min是9S 7S。
FDME1024ZT是MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.7 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于+/-8 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如20 V，单位重量设计为工作在0.000889盎司，该器件也可以用作15ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术硅，供应商器件封装为6 MicroFET（1.6x1.6），系列为PowerTrenchR，上升时间为2 ns，Rds On Max Id Vgs为66 mOhm@3.4A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为55 mOhm，Qg Gate Charge为3 nC，最大功率为600mW，Pd功耗为1.3W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-WDFN暴露焊盘，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为300pF@10V，Id连续漏极电流为3.4 A，栅极电荷Qg-Vgs为4.2nC@4.5V，正向跨导最小值为9 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为1.7 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为3.8A，配置为双重。
FDME410NZT是MOSFET 20V N沟道功率沟道，包括3.2 ns的下降时间，它们设计用于35 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流，如数据表注释所示，用于7 a，提供SMD/SMT等安装方式功能，信道数设计用于1信道，以及microFET-6封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为1.4W，器件提供9.2nC Qg栅极电荷，器件具有19mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为3.4ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为7.3ns，单位重量为0.001058oz，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为8V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.7V。
