9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUFA75823D3S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUFA75823D3S参考价格$4.476。onsemi HUFA75823D3S封装/规格：MOSFET N-CH 150V 14A TO252AA。您可以下载HUFA75823D3S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如HUFA75823D3S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HUFA75645S3S是MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK，包括UltraFET系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在HUFA75545S3S_NL中使用的数据表注释中，HUFA75654S3S_NL提供单位重量功能，例如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为310 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为97 ns，上升时间为117 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为14mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
HUFA75639S3ST_F085A，带有用户指南，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.046296 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及25 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作200W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为56 a。
HUFA75645P3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB。HUFA75645P3以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB、N沟道100V 75V（Tc）310W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH100V 75B Automotive 3引脚（3+Tab）TO-220AC导轨。
