9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP18N60PM,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP18N60PM参考价格为7.054美元。IXYS IXTP18N60PM封装/规格:MOSFET N-CH 600V 9A TO220。您可以下载IXTP18N60PM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP180N10T是MOSFET N-CH 100V 180A TO-220,包括TrenchMV?系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.081130盎司,具有通孔等安装方式功能,包装箱设计用于to-220-3,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的TO-220AB,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为480W,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为100V,输入电容Cis-Vds为6900pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为180A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为6.4mOhm@25A,10V,Vgs最大Id为4.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为151nC@10V,Pd功耗为480W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为31 ns,上升时间为54ns,Id连续漏极电流为180A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为6.4mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为42ns,典型接通延迟时间为33ns,正向跨导最小值为110S,沟道模式为增强。
IXTP170N075T2是MOSFET 170 Amps 75V,包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于75 V,提供单位重量功能,如0.081130 oz,典型开启延迟时间设计为19 ns,该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件以TrenchT2商品名提供,该器件具有Si of Technology,系列为IXTP170N075,上升时间为11ns,漏极-源极电阻Rds为5.4mOhm,Qg栅极电荷为109nC,Pd功耗为360W,封装为Tube,封装外壳为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+175 C,Id连续漏电流为170 A,正向跨导最小值为40 S,下降时间为19 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IXTP180N055T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 55V 180A TO-220。IXTP180N055T在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 55V 180A TO-220、N沟道55V 180B(Tc)通孔TO-220AB。
IXTP182N055T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 55V 182A TO-220。IXTP182N055T在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET N-CH 55V 182A TO-220、N沟道55V 182B(Tc)360W(Tc)通孔TO-220AB。