9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTR62N15P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTR62N15P参考价格$9.846。IXYS IXTR62N15P封装/规格：MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247。您可以下载IXTR62N15P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTR36P15P是MOSFET-22.0安培-150V 0.120 Rds，包括IXTR36P25系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.186952盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该器件也可用作-22A Id连续漏电流。此外，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，该器件提供120 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件具有晶体管极性的P沟道。
IXTR40P50P是MOSFET-22.0安培-500V 0.260 Rds，包括-500V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.186952盎司的单位重量工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于IXTR40P50，以及260 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件采用通孔安装方式，该器件具有-22A的Id连续漏电流。
IXTR48P20P是MOSFET-30.0安培-200V 0.093 Rds，包括-30 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，数据表说明中显示了to-247-3中使用的封装情况，该产品提供了管、漏极电阻等封装特性，设计用于93 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.186952盎司，器件具有-200 V的Vds漏极-源极击穿电压。
