9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTY4N60P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTY4N60P参考价格为1.48美元。IXYS IXTY4N60P封装/规格：MOSFET N-CH 600V 4A TO252。您可以下载IXTY4N60P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTY44N10T是MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds，包括IXTY44N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012346盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchMV，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为130 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为85V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为33nC，正向跨导Min为13S，并且信道模式是增强。
IXTY3N60P是MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds，包括5.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.012346 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHV商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTY3N60，上升时间为25 ns，漏极-源极电阻Rds为2.9欧姆，Qg栅极电荷为9.8 nC，Pd功耗为70 W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3A，正向跨导最小值为2.2 S，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTY48P05T是MOSFET TrenchP功率MOSFET，包括-48A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计工作电阻为30mOhms，以及IXTY48P0.05系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.081130盎司，器件具有-50 V的Vds漏极-源极击穿电压。
