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NTMS4939NR2G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 673

  • 库存: 199308
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,193.51
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 800mW (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.4毫欧姆 @ 7.5A, 10V

NTMS4939NR2G 产品详情

功率MOSFET,30V,53A,单N沟道,SO8FL

特色

  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 低电容
  • 将驾驶员损失降至最低
  • 优化门电荷
  • 减少开关损耗
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换器、负载点、电源负载开关、电机控制
  • PC、服务器、游戏控制台、HDD、打印机、其他计算和消费产品


(图片:引出线)

NTMS4939NR2G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMS4939NR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMS4939NR2G价格参考¥3.259305,你可以下载 NTMS4939NR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMS4939NR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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