9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4943NT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4943NT3G参考价格为1.478美元。onsemi NTMFS4943NT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 8.3A/41A 5DFN。您可以下载NTMFS4943NT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4939NT1G是MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FL，包括NTMFS4949N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.58 W的Pd功耗，Id连续漏极电流为15.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6 V，Rds漏极源极电阻为5.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为28.5nC，正向跨导Min为34S。
NTMFS4941NT1G是MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2.56 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有SO-8FL封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为47 a，配置为单通道。
NTMFS4943N，带有ON制造的电路图。NTMFS49403N在DFN5封装中提供，是FET的一部分-单个。
NTMFS4943NT1G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL。NTMFS41943NT1GG采用8-PowerTDFN，5引线封装，是FET的一部分-单，并支持MOSFET N-CH30V 8.3A/SO8FL、N沟道30V 8.3B（Ta）、41A（Tc）910mW（Ta），22.3W（Tc）表面安装5-DFN（5x6）（8-SOFL）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 14A 5-Pin（4+Tab）SO-FL T/R。
