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FDMS3686S是MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003175盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-PQFN（5x6），电源56为供应商设备包，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重）不对称，最大功率为1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1785pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为13A、23A，Rds On最大Id Vgs为8 mOhm@13A、10V，Vgs th最大Id为2.7V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V、Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为23 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为8 mOhm，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
FDMS5352是MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002402盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为58 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以11 ns上升时间提供，器件具有6.7 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为13.6A，下降时间为7ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
FDMS4435BZ是MOSFET P沟道PowerTrench MOSFET，包括25S正向跨导最小值，它们设计为在-9A Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，信道数量设计为在1个信道中工作，以及Power-56-8封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为39 W，器件提供20 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.002610盎司，Vds漏极源极击穿电压为-30 V。
