9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS5362L-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS5362L-F085参考价格$6.352。onsemi FDMS5362L-F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56。您可以下载FDMS5362L-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDMS5361L_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.006095 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供75 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为35 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为11.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为37nC，沟道模式为增强。
FDMS5360L_F085和用户指南，包括1.9 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.006095 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及79 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为8.7mOhms，Qg栅极电荷为64nC，Pd功耗为150W，封装为卷轴式，封装盒为Power-56-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为60 A，下降时间为16 ns，配置为单一。
FDMS5352是MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56，包括增强信道模式，它们设计用于单四漏极三源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于7纳秒，提供了连续漏极电流特性，如13.6 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用Power-56-8封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为2.5W，Rds漏极-源极电阻为6.7mOhms，上升时间为11ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为19ns，单位重量为0.002402盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
