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FDMC8884是MOSFET N-CH 30V 9A POWER33，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007055盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-MLP（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为685pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Ta）、15A（Tc），Rds On最大Id Vgs为19mOhm@9A、10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为2.3W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2纳秒，上升时间为2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为19毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15 ns，并且典型的开启延迟时间是6ns，Qg栅极电荷是5nC 10nC，并且信道模式是增强。
FDMC8882是MOSFET N-CH 30V 8-MLP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007055盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作14.3毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为7 nC 14 nC，该器件提供18 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为MLP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为16 a，配置为单一。
FDMC8884_F126带有电路图，包括9 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，提供SMD/SMT等安装类型功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及MLP-8封装盒，该设备也可用作卷筒包装。此外，Pd功耗为18 W，器件提供5 nC 10 nC Qg栅极电荷，器件具有19 mOhms的Rds漏极-源极电阻，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.010582盎司，Vds漏极源极击穿电压为30 V。
FDMC8883，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDMC8883采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。
