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FDMS86350是MOSFET N-CH 80V 80A POWER56，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001993盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1信道数信道，器件具有供应商器件包的Power56，配置为单四漏极三源极，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，功率最大值为2.7W，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为80V，输入电容Ciss Vds为10680pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为25A（Ta）、130A（Tc），Rds On最大Id Vgs为2.4mOhm@25A、10V，Vgs th最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为155nC@10V，Pd功耗为156W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为34纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs第栅-源极阈值电压为3.8 V，Rds漏极源极电阻为2毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为110nC，正向跨导Min为70S。
FDMS86350ET80带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.001993 oz，典型开启延迟时间设计为50 ns，以及40 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为34ns，漏极-源极电阻Rds为2mOhms，Qg栅极电荷为110nC，Pd功耗为156W，封装为卷轴式，封装盒为Power-56-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为130 A，正向跨导最小值为70 S，下降时间为11 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
FDMS86322是MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56，包括单一配置，它们设计为在13 ns的下降时间下工作，数据表说明中显示了用于45 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如13 a，其最大工作温度范围为+150 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为Power-56-8，器件采用卷筒封装，器件具有104W的Pd功耗，Qg栅极电荷为55nC，Rds漏极-源极电阻为7.65mOhm，上升时间为20ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.002402盎司，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V。
