9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMS4840NR2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMS4840NR2G参考价格为0.41000美元。onsemi NTMS4840NR2G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC。您可以下载NTMS4840NR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTMS4816NR2G是MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC，包括NTMS4816 N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.04 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为3.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为26S，沟道模式为增强。
NTMS4807NR2G是MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTMS4807N系列，该器件的上升时间为6.5 ns，漏极电阻Rds为61欧姆，Pd功耗为1.55 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12.2 A，下降时间为6.5 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
NTMS4816NG，带有ON公司制造的电路图。NTMS4816G采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
