9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS9408-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS9408-F085参考价格$2.872。onsemi FDMS9408-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A POWER56。您可以下载FDMS9408-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如FDMS9408-F085价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDMS8880是MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56，包括卷盘封装，它们设计为以0.002402盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
FDMS8888是MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.002610盎司的单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及9.5 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作42W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该设备采用Power-56-8封装盒，该设备具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为13.5 a。
FDMS8848NZ是FCS制造的MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56。FDMS8848NZ有8-PQFN、Power56封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 40V 22.8A Power56、N沟道40V 22.8 A（Ta）、49A（Tc）2.5W（Ta）和104W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）。
